●? ?至2030年，氮化鎵（GaN）市場規模預計將達到30億美元，年復合增長率高達44%●? ?英飛凌高壓GaN雙向開關采用變革性的共漏極設計與雙柵極結構●? ?GaN功率半導體拓展至AI、機器人、量子計算等新興市場氮化鎵（GaN）電源解決方案的普及正推動功率電子行業迎來一場重大變革。全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日發布《2026年GaN技術展望》，深度解析GaN的技術現狀、應用場景及未來前景，為行業提供重要參考。英
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英飛凌 GaN 氮化鎵高速增長
英飛凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在簡化從傳統基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率級的遷移。據官方新聞稿介紹，新型 EiceDRIVER? 1ED301xMC12I 系列器件在引腳上與現有的光耦仿真器和光耦合器兼容。對于《eeNews Europe》的讀者——尤其是從事工業與能源系統設計的工程師而言，這一產品意義重大：它提供了一條無需徹底重新設計控制板即可快速升級至更高效率SiC方案的路徑。同時，這也凸顯了當前柵極驅動器性能正不斷演
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英飛凌 IC SiC
在全球AI浪潮高漲與綠色能源轉型加速的雙重驅動下，氮化鎵（GaN）產業正步入關鍵的黃金增長期。根據TrendForce研究，全球GaN功率器件市場預計將從2024年的3.9億美元快速增長至2030年的35.1億美元，年復合增長率（CAGR）高達44%。在此高速擴張背景下，領先晶圓代工廠的戰略調整正在重塑GaN產業鏈格局。盡管臺積電（TSMC）正逐步退出GaN代工服務，但已通過技術授權協議，將其深厚的技術積累轉移給合作伙伴——世界先進（VIS）與格芯（GlobalFoundries, GF）。此舉不僅推動產
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臺積電 格芯 GaN
在傳統橫向結構的GaN器件中，電流沿芯片表面流動。而垂直 GaN 的 GaN 層生長在氮化鎵襯底上，其獨特結構使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而實現更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統設計。垂直架構：功率技術新高度垂直 GaN 創新：vGaN 支持高電壓和高頻率運行， 效率優于硅芯片先進制造工廠：GaN 研發工作在占地 66,000 平方英尺、 配備 GaN 生產專用工具的潔凈室設施中進行專有 GaN 生長工藝：工程師借助安森
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安森美 GaN 功率器件
摘要本文聚焦于2型電動汽車供電設備(EVSE)的設計。構建EVSE時必須遵循的規則可在IEC 61851-1標準中找到，而針對2型EVSE的具體規則，則在補充標準IEC 62752中有明確規定。本文所提供的指南以這些標準為依據，并以ADI公司的全新參考設計為例進行說明。充電過程中，電動汽車(EV)與電動汽車供電設備(EVSE)之間的通信是通過控制引導(CP)波形來實現的，文中對CP波形及標準中定義的各類狀態進行了闡述。CP波形與所呈現的調試信息，共同印證了指南的合理性，有助于更深入理解電動汽車充電過程，從
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IC-CPD 線纜內置控制 電動汽車供電設備 ADI
本文詳細討論了GaN技術，解釋了如何在開關模式電源中使用此類寬禁帶開關，介紹了電路示例，并闡述了使用專用GaN驅動器和控制器的優勢。而且，文中展示了LTspice?工具，以幫助理解GaN開關在電源中的使用情況。最后，展望了GaN技術的未來。
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開關模式電源 氮化鎵 GaN ADI
太陽能系統的發展勢頭越來越強，光伏逆變器的性能是技術創新的核心。設計該項光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。其中一項創新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統。GaN 不僅能提高太陽能系統的性能，也能提升整個系統的效率，此外，在保證縮小系統尺寸的同時，還能降低熱損耗、易于安裝和降低成本。比較 GaN、SiC 和 IGBTGaN 憑借其每個裸片區更優的電阻（Rsp）、更低的輸入輸出電容（Ciss 和 Coss）以及零反向恢復電荷等特性，顯著提升了
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TOLL GaN 太陽能系統 GaN 德州儀器
太陽能系統的發展勢頭越來越強，光伏逆變器的性能是技術創新的核心。設計該項光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。其中一項創新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統。GaN 不僅能提高太陽能系統的性能，也能提升整個系統的效率，此外，在保證縮小系統尺寸的同時，還能降低熱損耗、易于安裝和降低成本。比較 GaN、SiC 和 IGBTGaN 憑借其每個裸片區更優的電阻（Rsp）、更低的輸入輸出電容（Ciss 和 Coss）以及零反向恢復電荷等特性，顯著提升了
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TI TOLL GaN
近日，英偉達宣布入股新思科技，并開啟多年深度合作，引發行業廣泛關注。作為一家以算力和應用見長的芯片公司，為什么要親自“下場”綁定一家 EDA 工具商？與之相呼應的是，臺積電早已與楷登電子在先進制程與 3D 封裝上形成緊密合作，把工藝規則直接嵌入設計工具之中。 這一系列動作清晰地揭示了一個深層趨勢：在摩爾定律逼近極限、先進封裝成為算力增長核心引擎的今天，半導體產業的競爭范式正從單一的制程競賽，轉向系統級的協同優化。想要繼續提升性能、控制成本，就必須實現“工藝 + EDA + 設計”的深度協同，而
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算力巨頭 EDA 晶圓廠 3D IC
近幾周，中國半導體行業對集成電路（IC）行業的重大資本投資有所增加。上海IC產業投資基金階段II資本增至240.6億元人民幣，增長66%公司注冊數據顯示，上海集成電路產業投資基金階段二號有限公司注冊資本從約145.3億元人民幣增至240.6億元，增長約66%。該基金成立于2020年5月，總部位于上海浦東新區，是一家國家支持的私募股權工具，股東包括上海克洲集團、上海國生集團、上海國際集團、浦東風險投資集團、臨港新區基金、興家股權和浦東新工業投資。以支持中國集成電路產業高質量發展為關鍵承諾，階段II將投資整個
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集成電路 半導體 IC
●? ?美國國際貿易委員會的最終裁定可能導致英諾賽科涉嫌侵權的產品被禁止進口至美國●? ?該裁決是又一項積極結果，彰顯了英飛凌在業界領先的專利組合的價值●? ?氮化鎵?(GaN)?在實現高性能、高能效功率系統方面發揮著關鍵作用英飛凌300mm GaN技術美國國際貿易委員會（ITC）裁定英諾賽科侵犯了英飛凌科技股份公司擁有的一項氮化鎵（GaN）技術專利1。此外，在初步裁定中，美國國際貿易委員會確認，英飛凌在向該委員會提起的訴訟中
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美國國際貿易委員會 英飛凌 英諾賽科 專利侵權案 GaN
意法半導體發布了新的智能電源組件，使家用電器和工業驅動能夠利用最新的氮化鎵技術，提升能源效率、性能提升并節省成本。市場上的氮化鎵電源適配器和充電器能夠承受筆記本電腦和USB-C快充所需的足夠功率，實現極高效率以滿足嚴格的生態設計規范。ST最新的氮化鎵集成電路使該技術適用于洗衣機、吹風機、電動工具和工廠自動化等產品的電機驅動。意法半導體應用專用產品部門總經理多梅尼科·阿里戈表示：“我們的新GaNSPIN系統封裝平臺通過引入優化系統性能和保障可靠性的特殊功能，釋放了運動控制應用中的寬帶隙效率提升。”“這些新設
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ST 運動控制 GaN 集成電路平臺
意法半導體發布了新的智能電力組件，使家用電器和工業驅動能夠利用最新的氮化鎵（氮化鎵）技術，提升能源效率、性能提升并節省成本。市場上的氮化鎵電源適配器和充電器能夠承受筆記本電腦和USB-C快充所需的足夠功率，實現極高效率以滿足嚴格的生態設計規范。ST最新的氮化鎵集成電路使該技術適用于洗衣機、吹風機、電動工具和工廠自動化等產品的電機驅動。?意法半導體應用專用產品部總經理Domenico Arrigo表示：“我們的新GaNSPIN系統封裝平臺通過引入優化系統性能和保障可靠性的特殊功能，釋放了運動控制應
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意法半導體 GaN ICs 運動控制
全球運動控制與節能系統電源及傳感解決方案領導者之一Allegro MicroSystems, Inc.?(以下簡稱“Allegro”，納斯達克股票代碼：ALGM)，與全球領先的硅基氮化鎵制造供應商英諾賽科?(Innoscience，港交所：-2577.HK)?宣布達成戰略合作，推出了一款開創性的?4.2kW?全?GaN?參考設計，該設計采用了?Allegro?的先進柵極驅動器技術和英諾賽科高性能氮化鎵。這一創新解決方
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Allegro 英諾賽科 GaN AI數據中心電源 數據中心電源
第六屆IEEE WINTECHCON 2025于2025年11月12日至13日，召集了800多名女性工程師、技術專家、行業領袖、學術界、學生和研究人員，主題為“以數據驅動的半導體創新改變未來”。今年，該會議由IEEE班加羅爾分會、IEEE計算機科學學會班加羅爾分會和Women in Engineering AG班加羅爾分會聯合主辦，由三星半導體印度研究院（SSIR）主辦。IEEE班加羅爾分會主席Chandrakanta Kumar博士表示：“IEEE Wintechcon 2025展示了印度半導體創新引擎
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半導體產業 嵌入式系統 IEEE Wintechon 2025 3D IC 集成
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